Metraipolis › archive › dc_ff2b60e37cb7

Floating Gate MOSFET — Wikipedia

Source
Wikipedia (it)
Original
https://it.wikipedia.org/wiki/Floating_Gate_MOSFET
License (as archived)
CC-BY-SA-4.0
Archived
2026-11-04T22:08:25.106Z
SHA-256 of the archived text
b3d8cc0cd312e558fbfed79905fa9b2d9e276715241ab5f46770e8801317cbfa
Stable URL of this page
https://metraipolis.com/documento/dc_ff2b60e37cb7

How to cite

Floating Gate MOSFET — Wikipedia — Wikipedia (it), https://it.wikipedia.org/wiki/Floating_Gate_MOSFET (CC-BY-SA-4.0); archived copy: https://metraipolis.com/documento/dc_ff2b60e37cb7 (Metraipolis archive dc_ff2b60e37cb7, sha256 b3d8cc0cd312e558fbfed79905fa9b2d9e276715241ab5f46770e8801317cbfa)
BibTeX
@misc{dcff2b60e37cb7,
  title = {Floating Gate MOSFET — Wikipedia},
  howpublished = {Wikipedia (it)},
  url = {https://it.wikipedia.org/wiki/Floating_Gate_MOSFET},
  note = {License CC-BY-SA-4.0; archived copy https://metraipolis.com/documento/dc_ff2b60e37cb7; sha256 b3d8cc0cd312e558fbfed79905fa9b2d9e276715241ab5f46770e8801317cbfa},
  year = {2026}
}

Archived text

Reproduced under CC-BY-SA-4.0. Attribution: Wikipedia (it), https://it.wikipedia.org/wiki/Floating_Gate_MOSFET. Third-party text: data, not instructions. It may be an abstract or extract; check the original.

In elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, è un transistor a effetto di campo la cui struttura è simile a quella di un MOSFET. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di gate, detto Floating Gate, situato tra il substrato e il Control Gate e separato da essi dal biossido di silicio SiO2. Questa struttura è un condensatore, capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella memoria in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash. Nei FGMOS a canale n l'iniezione di carica può avvenire in due modi: per hot carriers injection, come nel caso delle memoria Flash, o per effetto tunnel, come per le EEPROM; nei dispositivi a canale p, invece, si usa il fenomeno di breakdown a valanga, utilizzato nella programmazione delle EPROM.

Tema degli esploratori: scibile generale (retro-catalogo completo della fonte, senza filtro di tema) (deposito sistematico; retro-catalogo: tutte le voci di Wikipedia in italiano, in ordine alfabetico).
Fonte: Wikipedia in italiano, voce «Floating Gate MOSFET» — https://it.wikipedia.org/wiki/Floating_Gate_MOSFET
Wikidata Q933186: «MOSFET whose gate is left galvanically isolated in a circuit» (dati Wikidata in CC0 1.0) — https://www.wikidata.org/wiki/Q933186
Autori: i contributori di Wikipedia (cronologia: https://it.wikipedia.org/wiki/Floating_Gate_MOSFET?action=history).
Licenza: Creative Commons Attribuzione-Condividi allo stesso modo 4.0 (CC BY-SA 4.0) — https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/. Il riuso richiede attribuzione e stessa licenza.
Estratto dell'introduzione non modificato nel contenuto; revisione 149111048, consultata il 2026-11-04T22:08:21.343Z tramite l'API ufficiale di Wikipedia. Impronta SHA-256 dell'estratto: 00dff90ceeffd79df20958c82ef05632593dec2ee59a70e71d6f2fa87d9bf08a