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Contact ohmique — Wikipedia (fr)

Source: Wikipedia (fr)
Original: https://fr.wikipedia.org/wiki/Contact_ohmique
License (as archived): CC-BY-SA-4.0
Archived: 2026-11-05T13:49:40.119Z
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Un contact ohmique est un contact métal-semi-conducteur avec une très faible résistance de contact. Il est dit ohmique lorsque le courant I est proportionnel à la tension V avec un facteur de proportionnalité 1 / R c {\displaystyle 1/Rc} . La résistance spécifique de contact rc est le produit de Rc par la surface de contact. La réalisation de contacts ohmiques performants, c’est-à-dire ayant une caractéristique I(V) linéaire et peu résistif, est une condition nécessaire au bon fonctionnement d’un grand nombre de dispositifs. En effet, le développement de certaines filières passe par l’optimisation de certains points cruciaux dans les briques technologiques. Dans le domaine de puissance par exemple: la brique concernant les contacts ohmiques est un point indispensable et à la fabrication de composant. Pour cela, le contact doit être déposé sur un semi-conducteur suffisamment dopé. En effet, le dépôt d’un métal sur un semi-conducteur se traduit par la création d’une barrière à fort potentiel à l'interface. Le dopage de la couche de semi-conducteur favorise le passage des porteurs électriques par effet tunnel . Les contraintes d’industrialisation de la filière imposent aussi des contacts reproductibles, compatibles avec les procèdes les plus communs de la micro-électronique (notamment l’absence d’or) et une température de recuit la plus faible possible. De plus, le recuit RTA (rapid thermal annealing) est une étape nécessaire à la formation de contact ohmique. Le modèle Schottky-Mott présente l’avantage de prédire simplement le contact métal/semi-conducteur. Ce modèle repose sur la structure de bande entre un métal et un semi-conducteur et fait apparaître une barrière de potentiel de type Schottky. Il existe différents modes de conduction qui permettent aux électrons de franchir cette barrière. Le contact métal/semi-conducteur est décrit par le modèle Schottky-Mott. Deux comportements différents, redresseur (aussi appelé Schottky) ou ohmique, peuvent apparaitre selon le signe de la différence entre les travaux de sortie du métal et du semi-conducteur et/ou le type de dopage du semi-conducteur considéré. On se place dans le cas d’un semi-conducteur de type n. Dans le cas du contact ohmique, le travail de sortie du métal Φm est inférieur à celui du semi-conducteur. Lors de la mise en contact des deux matériaux, les électrons présents dans le métal passent dans le semi-conducteur pour réaliser l’équilibre thermodynamique. Une zone d’accumulation d’électrons (ZAE) se forme donc dans le semi-conducteur, provoquant la courbure des bandes vers le bas. Il n’y a donc aucune barrière de potentiel qui limite la circulation des électrons. Ceux-ci peuvent aisément passer du métal au semi-conducteur, et vice-versa, sous l’effet d’une polarisation quelconque. Il en résulte un contact de type ohmique dont la caractéristique courant-tension est linéaire . Dans le cas d’un semi-conducteur p, les relations s’inversent. Le contact de type ohmique est observé pour Φm >

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Fonte: Wikipedia in francese, voce «Contact ohmique» — https://fr.wikipedia.org/wiki/Contact_ohmique
Wikidata Q2016597: «non-rectifying electrical junction: a junction between two conductors that has a linear current–voltage (I-V) curve as with Ohm's law» (dati Wikidata in CC0 1.0) — https://www.wikidata.org/wiki/Q2016597
Autori: i contributori di Wikipedia (cronologia: https://fr.wikipedia.org/wiki/Contact_ohmique?action=history).
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