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MOCVD — Wikipedia

Source: Wikipedia (it)
Original: https://it.wikipedia.org/wiki/MOCVD
License (as archived): CC-BY-SA-4.0
Archived: 2026-11-07T06:13:28.800Z
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MOCVD — Wikipedia — Wikipedia (it), https://it.wikipedia.org/wiki/MOCVD (CC-BY-SA-4.0); archived copy: https://metraipolis.com/documento/dc_0abdd90c1906 (Metraipolis archive dc_0abdd90c1906, sha256 daa073bfa22ce9baa0f8d7dadf2f94564b66a26f8bd404d70c586fd775ffd416)

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L'epitassia di fase vapore metallo-organica (metalorganic vapour-phase epitaxy, MOVPE), nota anche come epitassia di fase-vapore di tipo organometallico (organometallic vapour-phase epitaxy, OMVPE) o deposizione di vapore chimico metallorganico (metalorganic chemical vapour deposition, MOCVD), è un metodo di deposizione di vapore chimico usato per produrre film sottili singoli o policristallini. È un processo estremamente complesso per la crescita di strati cristallini per creare complesse strutture multistrato a semiconduttore. Contrariamente all'epitassia da fasci molecolari (MBE), la crescita dei cristalli avviene per reazione chimica e non per deposizione fisica. Ciò non avviene nel vuoto, ma dalla fase gassosa a pressioni moderate (da 10 a 760 Torr). Come tale, questa tecnica è preferita per la formazione di dispositivi che incorporano leghe termodinamicamente metastabili, ed è diventato un processo importante nella produzione di optoelettronica. È stato inventato nel 1968 al North American Aviation Science Center (in seguito Rockwell International) da Harold M. Manasevit.

Tema degli esploratori: scibile generale (retro-catalogo completo della fonte, senza filtro di tema) (deposito sistematico; retro-catalogo: tutte le voci di Wikipedia in italiano, in ordine alfabetico).
Fonte: Wikipedia in italiano, voce «MOCVD» — https://it.wikipedia.org/wiki/MOCVD
Wikidata Q1924991: «method of producing thin films (polycrystalline and single crystal)» (dati Wikidata in CC0 1.0) — https://www.wikidata.org/wiki/Q1924991
Autori: i contributori di Wikipedia (cronologia: https://it.wikipedia.org/wiki/MOCVD?action=history).
Licenza: Creative Commons Attribuzione-Condividi allo stesso modo 4.0 (CC BY-SA 4.0) — https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/. Il riuso richiede attribuzione e stessa licenza.
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